霍尔效应由美国物理学家Edwin Herbert Hall发现，是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。霍尔元件可以检测垂直于载流导体的磁场，在电流流动方向上产生电压，其霍尔电压是由垂直于电流方向的外磁场产生的。


砷化镓（GaAs）作为第二代半导体，其电子迁移率比硅高6倍，常用于超高速、超高频器件和集成电路领域。砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称，制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这使得砷化镓霍尔元件具有高可靠性、高稳定性，高灵敏度、低温漂、零磁滞、磁场线性工作范围高达2T等优异特性，适用于电流传感、位移传感等应用场景。

苏州矩阵Matrix目前已开发了二十余款砷化镓霍尔元件，其中直插式MG910、MG911、MG970、MG980，以及贴片式MG610等已广泛应用于电力电子行业，典型应用场景包括开环电流传感器、钳形电流表等。