霍尔磁传感是利用霍尔效应，获得与磁场成正比输出的霍尔电压（VH），作为直接输出的非接触式传感。

化合物半导体材料相较Si材料具有更加优异的电子迁移率特性，InSb在三五族化合物半导体材料的迁移率最高，可以达到Si材料迁移率的60倍以上，因此InSb霍尔元件也实现了最高霍尔电压灵敏度。

苏州矩阵光电有限公司凭借通过IDM模式自主研发设计制造的InSb材料及晶圆，已规模化量产高灵敏度InSb霍尔元件多年，在业界享有优良口碑。